6月2015

高圧露光装置搬入のために扉を拡張し,重量架台を設置しました.

瀧研究室では成形加工の実験室の整備を進めています.

本日(6月30日)は,7月2日の高圧露光装置の搬入に備えて入口の扉を拡張し,重量架台を設置しました.

金沢大学の実験室の扉は高さ2000mm,幅1110mmくらいで,

高圧露光装置が高さ2100mm,幅が1200mmなので,ギリギリはいりません.

そのため大きな扉に取り換えました.隣の部屋の扉と比べると,大きくなっていることがお分かりいただけると思います.

高圧露光装置は1.5tありますので,耐荷重が400kg/m2しかない実験室には重量架台が必要とのことでこれも設置しました.いよいろ木曜日に高圧露光装置がやってきます.

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一次側電気工事完了(1C124)

瀧研究室では成形加工実験室の整備を行っています.

本日は,一次側電気工事が完了しましたことをお知らせします.

二軸押出機と高圧露光装置のための動力として三相125Aを付けました.

電気室の空きの関係で,同時に二つの装置を動かすことはできそうにありませんが,

十分な電気容量だと思っています.

二次側は,高圧露光装置が7月2日~3日,二軸押出機は7月9,10日に予定しています.

もうしばらくの辛抱で,快適な実験室が手に入ります.

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山形大学の共同研究先の卒業生が繊維学会で2件の発表を行いました.

1. 鈴木将平, 高山哲生, 伊藤浩志, 瀧健太郎, 京谷隆, アルミニウム陽極酸化膜を用いた高分子ナノ繊維の作製とその物性・高次構評価, 繊維学会年次大会, タワーホール船堀, 2E09, June 11, 12:00 (2015).
2. ○江川知史,高山哲生, 伊藤浩志, 瀧健太郎, 結晶性高分子材料を用いた溶融押出ロールインプリントにおけるフィルム表面への微細転写性と構造評価, 繊維学会年次大会, タワーホール船堀, 2P245, June 9 (2015).

瀧健太郎准教授がPPS31 Jejuにて1件の発表

瀧准教授がPPS31 Jejuにて1件の口頭発表を行いました.

1. Kentaro Taki, Takehiro Taguchi, Hiroshi Ito, Effect of Chain Length of UV Curable Monomer on Conversion, Kinetic Chain Length and Viscoelasticity, The 31st International Conference of the POLYMER PROCESSING SOCIETY, International Conference Center JeJu, Korea, ORS1-05, pp.862, June 9, 17:30-17:50 (2015).

プラスチック成形加工学会年次大会で1件発表

瀧健太郎准教授がプラスチック成形加工学会で1件の口頭発表を行いました.また,同内容にてポスター発表も行いました.

タイトル UV硬化樹脂の積層成形(3DUVプリンター) シミュレータによる エッジ部硬化挙動の解析

著者名 瀧健太郎

 

二軸押出機の水道管が完成

二軸押出機の冷却を行うために,水道管を設置しました.

電気工事が終われば,稼働できますが,動力盤の設置,電気室からのケーブル取出し,二次側配線のつなぎ込みなど,まだまだやることがあります.

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フォトレオメータ―を導入

瀧研究室(代表者 金沢大学准教授 瀧健太郎)では,UV硬化中の粘弾性変化が測定可能なフォトレオメータを導入しました.

この装置を使用することで,UV硬化中にどのようにして弾性が発現していくかを研究することができます.また,様々なUV硬化樹脂やインクなどの性状を把握するのにも使えます.

この装置の特徴は,通常のコントロールパネルを装置右側に配置することで,ステージ下を解放状態にできていることです.このスペースに光散乱装置などを組み込むことで,UV硬化中の不均一構造の形成を過程について研究することができます.

主な仕様

粘弾性測定装置 Anton-Paar社製 MCR302-WESP

高圧水銀ランプ ExFo社製 S2000

 

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UV硬化樹脂の硬化収縮測定器(レーザー変位計)

瀧研究室ではUV硬化樹脂の硬化収縮をリアルタイムで測定することが可能な

レーザー変位計を開発・導入しました.この装置では,UV硬化時のフィルムの厚さ変化を

リアルタイムで,数十ナノメートルオーダの分解能で測定可能です.測定可能な膜厚は20μm以上です.

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主な仕様

レーザー変位計 キーエンス製 LK-H008

高圧水銀ランプ ExFo製 S2000

型式 LK-H008
設置モード 正反射
基準距離 8mm
測定範囲 ±0.5mm
光源 赤色半導体レーザ
波長 655nm
レーザクラス クラス1レーザ製品
出力 0.3mW
スポット径 φ20μm
直線性 ±0.05% of F.S.(F.S.=1.0mm)
繰り返し精度 0.005μm(0.001μm)
サンプリング周期 2.55/5/10/20/50/100/200/500/1000μs

(9段階可変)

温度特性 0.02% of F.S./℃(F.S.=1.0mm)